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FDMS6673BZ  与  BSC080P03LS G  区别

型号 FDMS6673BZ BSC080P03LS G
唯样编号 A36-FDMS6673BZ A-BSC080P03LS G
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 FDMS6673BZ Series -30 V -82 A 6.8 mOhm P-Channel PowerTrench Mosfet - Power56
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 6.8m Ohms@15.2A,10V 8mΩ@30A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta),73W(Tc) 2.5W(Ta),89W(Tc)
栅极电压Vgs ±25V ±25V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 8-PQFN(5x6) PG-TDSON-8
连续漏极电流Id 15.2A 16A(Ta),30A(Tc)
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
系列 PowerTrench® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 5915pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 130nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 6140pF @ 15V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 122.4nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDMS6673BZ ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

8-PowerTDFN Power 8-PQFN(5x6)

暂无价格 0 当前型号
BSC080P03LSGAUMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC080P03LS G_8-PowerVDFN

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BSC060P03NS3E G_8-PowerTDFN

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DMP3010LPSQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

8-PowerTDFN

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BSC080P03LS G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC080P03LSGAUMA1_PG-TDSON-8

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BSC060P03NS3E G Infineon 功率MOSFET

BSC060P03NS3EGATMA1_5.9mm

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